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天士立 半导体可靠性测试
签订保密协议严格保护客户信息工厂环境搭建改善标准的生产加工车间及严格流程管理先进的生产设备及精湛的烧录团队依据客户需求提供全自动烧录设备依据工厂生产作业时间按排人员
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天士立 半导体电学测试
签订保密协议严格保护客户信息工厂环境搭建改善标准的生产加工车间及严格流程管理先进的生产设备及精湛的烧录团队依据客户需求提供全自动烧录设备依据工厂生产作业时间按排人员
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天士立 分立器件静态参数测试系统 STD2000
测试对象:DIODE、MOSFET、IGBT、JFET、SCR、TRIAC、OPTO等25类半导体分立器件 测试项目:导通参数,截止参数,传输参数等,几乎涵盖所有静态参数 输出能力:电压MAX
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天士立 IGBT模块静态参数测试系统 ST-DC6500
测试种类:IGBT模块 输出能力:电压标配MAX 6500V(可扩展) ;电流标配MAX 1600A(可扩展) 测试参数:IGBT模块静态直流全参数 工作模式:程控脉冲式测试,测试连接可以
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天士立 IGBT直流参数测试仪 ST-DC2002
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天士立 IGBT模块动态特性测试系统 ST-AC3500
测试种类:大功率IGBT模块;测试参数:开关特性;栅极特性Qg;反恢特性Qrr_FRD;栅极阻容特性和短路雪崩特性可选配
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天士立 晶体管动态参数测试系统 ST-AC1200
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天士立 晶体管动态特性测试系统 ST-AC1200
测试种类:Si(SiC/GaN)IGBT , Diode , MOSFET(选配BJT) 输出能力:电压最大1200V(选配2000V);电流最大100A(可扩展200A/300A/500A
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天士立 可控硅参数测试仪 SCR-DC12V
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天士立 二极管浪涌电流测试系统 ST-IFSM_X
可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Tnode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管
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